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知产新闻播不停

2020-08-05作者:admin浏览量:657次

员工携商业秘密跳槽,与新公司共同承担侵权责任

近日,北京知识产权法院二审审结一起多名员工携商业秘密跳槽案件,认定该多名员工与新公司共同实施了侵害原公司商业秘密的行为,判令其停止侵权,并赔偿经济损失和合理开支共计799万元。


原告卓路公司等三公司一审起诉称


原告系国内知名高尔夫球服务经营商,凭借多年积累资源,为国内多家金融机构的 VIP客户提供高尔夫增值服务,拥有大量不为公众所知的经营信息,如国内各大高尔夫球场合作信息、所服务的金融机构客户名单、项目负责人信息、金融机构合作底价及公司成本价等信息。原告使用前述信息获得巨大经济利益,维持了显著市场竞争优势。


被告金某等五人原系原告公司员工,分别担任公司球场部经理、大客户部经理、财务部球场对账助理、客服组长等职务,于2012年至2013年7月期间先后从原告公司辞职后入职被告新赛点公司,并未经许可将原告的商业秘密披露给被告公司使用。


被告公司在明知金某等五人非法获取原告商业秘密的情况下,使用这些商业秘密与相关高尔夫球场和银行进行合作,获得巨额经济利益。被告公司和被告金某等五人的行为侵犯了原告的商业秘密,给其造成巨大经济损失和不良影响,故提起本案诉讼。


被告公司、金某等5人的主要答辩理由为


1、原告主张的经营信息或未采取保密措施,或可从公开渠道获得,不属于商业秘密;


2、金某等五人加入被告公司的时间晚于该公司中标相关高尔夫服务项目的时间,该公司中标与金某等五人无关,原告不能据此认为被告侵犯其商业秘密;


3、被告公司与相关高尔夫球场和银行合作的信息源自自身长期经营积累,并非源自金某等五人披露的原告的经营信息。


综上,被告公司不存在侵犯原告公司商业秘密的情况;另外,被告公司长期处于亏损状态,原告主张的赔偿数额缺乏依据。


一审法院认定


现有证据不足以证明被告孙某和王某有机会接触并侵害原告的商业秘密;被告公司和金某等3人实施的涉案行为侵害了原告公司的商业秘密,判令其立即停止侵权行为;被告公司、金某等3人分别赔偿原告经济损失704万元、50万元、30万元、10万元,被告公司对前述经济损失承担连带责任;被告公司和金某等3人共同赔偿原告合理开支5万元。


原告及被告公司、金某等3人均不服一审判决,分别上诉至北京知识产权法院。


北京知识产权法院二审审理认为


原告与相关银行合作的信息构成商业秘密。


从相关银行的招标需求、原告向银行发送的投标文件及竞争性谈判文件等证据可知,特定公司欲与银行开展高尔夫服务需要满足一系列条件,具有较高的准入门槛。


被告公司在2013年之前与银行等金融机构在高尔夫服务方面的合作很少,金某等3人入职公司后不久,被告公司即参与多家银行高尔夫服务项目投标并顺利中标,其高尔夫服务业务收入获得突飞猛进增长,侵权获利数额巨大。


在此过程中,被告公司明知金某3人等非法披露原告与相关银行合作形成的商业秘密、并在经营中积极利用该商业秘密的主观故意意图体现得十分明显,故确认被告公司及金某等3人实施的涉案行为侵犯了原告与相关银行合作中形成的商业秘密,依法应当承担停止侵权、赔偿损失等法律责任。


一审判决相关认定均无不当,故二审判决驳回上诉,维持原判。


法官提示


1.企业应当依照反不正当竞争法等法律规定,结合企业自身情况建立和完善商业秘密保护机制,针对企业有价值的经营资源如客户名单、交易价格和工艺方法等进行总结分类,并列入商业秘密保护范围;必要时对企业相关商业秘密的使用情况进行实时技术监控,尽量降低商业秘密被侵害的风险。


2. 企业应当根据员工岗位情况尽量控制知悉商业秘密员工的范围,明确规定不同岗位员工接触相应商业秘密的范围和权限,按照规定做好登记和审批工作。


3.企业在对外签订商业合同和与员工签订劳动合同时均应约定完善的商业秘密保护条款,最大限度保护自身商业秘密。某些重点岗位不仅要与员工签订保密协议,还要签订竞业限制协议,并依照法律规定支付相应的补偿金,以最大限度保护企业商业秘密。


  • 来源:京法网事




Intel被控侵犯中科院微电子所FinFET专利

据国家知识产权局专利复审委员会消息,其审理了201110240931.5(“FinFET专利”)发明专利的无效申请。无效申请的请求人是Intel(中国)有限公司,而专利权人为中国科学院微电子研究所(下称“微电子所”)。


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据悉,这是Intel为应对微电子所2018年发起的专利侵权诉讼而采取的措施。在此之前,英特尔已经先后5次在中美两地对涉案专利及其美国同族专利发起无效申请,均以失败告终。


之前,微电子所诉称,英特尔酷睿(Core)系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”的FinFET专利,要求英特尔停止侵权,赔偿至少2亿元人民币,并承担诉讼费用,同时申请法院下达禁令。


涉案的FinFET专利是一项与FinFET工艺相关的发明专利,而微电子所在FinFET领域专利实力非常雄厚。国外专利咨询公司LexInnova在2015年进行的FinFET领域专利调查研究显示,中科院微电子所专利申请数量在该领域排名第11位,专利申请质量被评估为全球第一。


公开信息显示,微电子所专利数量和质量都非常可观。


截至目前,微电子所围绕集成电路、高可靠器件与电路、物联网等领域已经提交中国专利申请5000余件,国外专利申请500余件,转让专利158件,达成专利许可1505件。


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来源:快科技

图源:网络



国家知识产权局办公室关于印发2020年度软科学研究项目立项名单的通知


国知办函办字〔2020〕684号

 

各省、自治区、直辖市及计划单列市、副省级城市、新疆生产建设兵团知识产权局,四川省知识产权服务促进中心;局机关各部门,专利局各部门,商标局,局其他直属单位、各社会团体;各有关单位:

 

2020年度国家知识产权局软科学研究项目立项工作已经结束,现将立项名单印发,请认真做好项目的组织实施工作。现就有关事项通知如下:

 

一、请各项目承担单位填写对应项目的合同书,一式六份,均需原件,各项内容填写须完整准确,其中的项目编号、项目名称、承担单位等须与立项名单中的内容一致,并在相应位置签字盖章。保证单位原则上为申报时的推荐部门(单位),也应填写相关信息并签字盖章,并对项目承担单位填写的内容做好审核把关。请将合同书于2020年8月9日前寄至我局联系人,合同电子件同步发送至联系人邮箱。

 

二、请各项目承担单位根据合同书约定,按计划开展研究工作,保证研究进度和质量。请各保证单位做好协调、督促等工作,确保项目顺利开展。

 

三、软科学研究项目联系人及联系方式如下:

 

联系人:王浚丞  尹  鹏

电  话:010—62084614  010—62085201

地  址:北京市海淀区西土城路6号国家知识产权局办公室

邮  编:100088

邮  箱:ruanketi@cnipa.gov.cn

 

特此通知。

 

附件:1.2020年国家知识产权局软科学研究项目立项名单

2.国家知识产权局软科学研究项目合同书

 

国家知识产权局办公室

2020年7月31日

(来源:国家知识产权局网站 




文中部分内容来源网络,版权归属原作者,若有不妥,请联系告知修改或删除,谢谢。


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